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传三星扩产 DRAM,全球产能恐飙 2 成

传三星扩产 DRAM,全球产能恐飙 2 成

三星电子準备按下毁灭开关,记忆体的超级週期将画上句点?据传三星为了防止中国厂染指 DRAM,打算大举扩产,未来全球 DRAM 产出可能一举暴增 20%。

韩媒 etnews 31 日报导,据了解,三星正在改装南韩华城(Hwasung)厂 16 号线,此一产线原本生产 2D NAND flash,明年第一季起将量产 DRAM。另外,三星的南韩平泽厂也在打造新 DRAM 产线,第一阶段产能估计明年第三季开出。

预计 2018 年三星在华城厂和平泽厂的 DRAM 产出将增加 6 万片,规模不算太大。问题在 2018 年下半之后,三星计划把华城 16 号线全数用于生产 DRAM,若闲置空间全数使用,DRAM 产能将增加 13.5 万片。不只如此,届时平泽厂 DRAM 投资也进入第二阶段,DRAM 产能将增 10 万片。两厂相加,等于开出 23.5 万片的新产能。

做为对照,今年第三季全球 DRAM 产能为每月 110 万片,要是三星真的增产 23.5 万片,全球 DRAM 供给将飙升 20%。内情人士透露,部分三星高层认为,要在中国跨入 DRAM 市场之前,先结束 DRAM 热潮。三星电子实质掌门权五铉明年初下台,掌管三星半导体业务的金奇南(Kim Ki-nam),是呼声极高的接班人,据悉金奇南支持大幅增产。

不只如此,SK 海力士也在中国无锡兴建新厂,预计 2018 年底完工,2019 年安装设备,产能为每月 12 万片。

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